SENSOR DE TEMPERATURA CONSTRUÍDO SOBRE SUBSTRATO DE SILÍCIO

IDENTIFICADOR: 407 | DATA: 12-08-2021
2777

SETOR ECONÔMICO:

Microeletrônica


PROBLEMA QUE SOLUCIONA:

As dimensões reduzidas do Sensor térmico (termopar) sobre substrato de silício facilitam a leitura e monitoramento de temperatura de forma direta, atendendo atendendo às exigências dos processos térmicos que exigem alto grau de controle.


SOLUÇÃO APRESENTADA:

Sensor térmico (termopar) de dimensões de micrometros construído a partir da deposição de liga constantan sobre a face superior e inferior do substrato de silício, recobrindo parte do cobre  que transpassa o substrato de silício, constando também de cavidade no substrato de silício situada abaixo da junção dos metais, na face superior do sensor.


PRINCIPAIS VANTAGENS E BENEFÍCIOS:

A utilização de lâminas de  silício como substrato para a construção do sensor torna o processo compatível com a tecnologia de microeletrônica, facilitando a sua implementação e permitindo uma produção de baixo custo. A técnica utilizada para a construção foi a de eletrodeposição “electroless” também apresenta uma grande vantagem para a construção de termopares que é o fato de ser rápida barata e seletiva. Outro diferencial é a sua micro dimensão, uma vez que a a utilização de mascaramentos possibilitou a construção de termopar de dimensão bastante reduzida, em comparação com o que se encontra no mercado.


POTENCIAIS E APLICAÇÕES:

O Sensor térmico (termopar) sobre substrato de silício pode ser utilizado para diversas finalidades como a fabricação de termopilhas de detecção de infravermelho de câmeras, além do monitoramento de temperatura no vestuário em tecnologia wearable e a leitura térmica através de radiometria.


ESTÁGIO DE DESENVOLVIMENTO:

A tecnologia está em fase de testes.


TITULARES:

INSTITUTO ANIMA SOCIESC DE INOVACAO, PESQUISA E CULTURA - INSTITUTO ÂNIMA

BRASIL EDUCAÇÃO S/A


NÚMERO DO PROCESSO DO INPI:

BR 10 2020 024529 5


INFORMAÇÕES PARA CONTATO:

edias@nossoinstitutoanima.com.br


LINKS ÚTEIS:

Acesse o pedido de patente de invenção na íntegra aqui.