PROBLEMA QUE SOLUCIONA: 

Os lantanídeos, como o cério (Ce) e o lantânio (La), desempenham um papel essencial em diversas indústrias estratégicas, incluindo automotiva, aeroespacial, defesa e médica.

Entretanto, o fornecimento de lantanídeos enfrenta desafios significativos, sobretudo devido à concentração de mais de 90% da produção global na China. Esse monopólio cria dependências para países sem depósitos primários ou com exploração limitada desses elementos.

Diante dessa realidade, países que não possuem depósitos primários ou que sua exploração é limitada, precisam investir no desenvolvimento de tecnologias avançadas para a recuperação de lantanídeos a partir de resíduos eletrônicos, buscando atender à crescente demanda e reduzir a dependência de fontes externas.

SOLUÇÃO APRESENTADA: 

A presente invenção consiste em um processo sustentável para a obtenção de hidróxido de cério (IV), com 99,6% de pureza, e oxalato de lantânio, com 99,7% de pureza, a partir de resíduos de baterias níquel metal-hidreto (BNiMH).
 

PRINCIPAIS VANTAGENS E BENEFÍCIOS: 

O processo hidrometalúrgico proposto apresenta um diferencial significativo ao empregar um solvente eutético hidrofóbico na etapa de extração líquido-líquido.

1. Economia e Eficiência: A rota é expressivamente simplificada, as extrações líquido-líquido necessárias são realizadas em uma única etapa, tornando o processo mais econômico.

2. Sustentabilidade: O processo elimina o uso de solventes orgânicos, frequentemente tóxicos e inflamáveis, substituindo-os por um solvente alinhado aos princípios da química verde.

3. Reutilização: A baixa solubilidade dos componentes e a ausência de reações que degradem o solvente utilizado permitem sua reutilização, reduzindo custos operacionais.

TITULARES: 

Universidade Federal de Viçosa

INVENTORES: 

Maria do Carmo Hespanhol,

Kaíque Augusto Moreira Lourenço Cruz
 

NÚMERO DO PROCESSO DO INPI: 

BR 10 2024 017592-1
 

INFORMAÇÕES PARA CONTATO: 

NIT: NIT.UFV

E-mail: nit.parceria@ufv.br

Telefone: (31) 3612-2399

Acesse o pedido de patente de invenção na íntegra aqui.